Die Rückstreumethode als Verfahren zur Bestimmung des Profiles von Strahlenschäden in durch Ionenimplantation dotiertem Silizium
Die Rückstreumethode als Verfahren zur Bestimmung des Profiles von Strahlenschäden in durch Ionenimplantation dotiertem Silizium1972
Details
- First published
- 1972
- OL Work ID
- OL42023025W